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950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ300um P97MXXT2系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)的InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器以及二級(jí)熱電致冷器（TEC）組成，采用TO封裝 形式。本使用手冊(cè)僅針對(duì)該系列產(chǎn)品進(jìn)行說(shuō)明。

950-1650nm InGaAs單光子陣列探測(cè)器組件 MP6514S型探測(cè)器組件由4×4陣列規(guī)格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動(dòng)淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測(cè)器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號(hào)控制模塊組成。在蓋革工作模式下，探測(cè)器組件各像元獨(dú)立、自由運(yùn)行，探測(cè)0.95-1.65 μm的近紅外波段范圍內(nèi)微弱光信號(hào)，實(shí)時(shí)輸出TTL電信號(hào)。

D2250-2M 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um 中紅外探測(cè)器面臨的Max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲，并且它們會(huì)從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長(zhǎng)檢測(cè)器通過(guò)使用窄帶和高效的上轉(zhuǎn)換技術(shù)以及低噪聲硅基檢測(cè)器來(lái)緩解這兩個(gè)限制。這一切都在我們的即插即用檢測(cè)器模塊中完成，紅外信號(hào)與我們的高功率泵浦激光器混合，產(chǎn)生近乎可見的信號(hào)，可被各種高響應(yīng)硅基檢測(cè)器檢測(cè)到。如果您不需要超低信號(hào)檢測(cè)，我們還

DC-20Hz 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um 中紅外探測(cè)器面臨的Max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲，并且它們會(huì)從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長(zhǎng)檢測(cè)器通過(guò)使用窄帶和高效的上轉(zhuǎn)換技術(shù)以及低噪聲硅基檢測(cè)器來(lái)緩解這兩個(gè)限制。這一切都在我們的即插即用檢測(cè)器模塊中完成，紅外信號(hào)與我們的高功率泵浦激光器混合，產(chǎn)生近乎可見的信號(hào)，可被各種高響應(yīng)硅基檢測(cè)器檢測(cè)到。如果您不需要超低信號(hào)檢測(cè)，我們還提

900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ2mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè)，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點(diǎn)。